申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-04-22

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115424929A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78

优先权：["20210806 US 63/230,545","20220114 US 17/576,910"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成栅极介电层；在栅极介电层上方形成牺牲层；图案化牺牲层以形成牺牲栅电极；通过部分地蚀刻牺牲栅电极在牺牲栅电极中形成多个开口；利用与牺牲栅电极的材料不同的填充材料填充多个开口；去除牺牲栅电极以形成栅极空间，从而在栅极空间中留下多个柱或壁；以及利用一种或多种导电材料填充栅极空间，从而形成金属栅电极。

主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成栅极介电层；在所述栅极介电层上方形成牺牲层；图案化所述牺牲层以形成牺牲栅电极；通过部分地蚀刻所述牺牲栅电极在所述牺牲栅电极中形成多个开口；利用与所述牺牲栅电极的材料不同的填充材料填充所述多个开口；去除所述牺牲栅电极以形成栅极空间，从而在所述栅极空间中留下多个柱或壁；以及利用一种或多种导电材料填充所述栅极空间，从而形成金属栅电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体器件的方法和半导体器件

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