申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2022-05-06

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115424944A

主分类号：H01L21/56

分类号：H01L21/56;B23K26/38

优先权：["20210514 JP 2021-082733"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2022.12.02#公开

摘要：本发明提供器件芯片的制造方法，能够抑制利用激光束进行分割加工时产生的对树脂层的热影响。器件芯片的制造方法将在由呈格子状设定于正面的分割预定线划分的区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件而制造器件芯片，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：树脂层形成步骤1，在晶片的正面侧形成树脂层；树脂层加工步骤3，在树脂层形成步骤1之后，从形成有树脂层的那侧沿着分割预定线以第一输出照射激光束，在树脂层上形成激光加工槽；以及晶片切断步骤4，在树脂层加工步骤3之后，以比第一输出大的第二输出沿着激光加工槽照射激光束，将晶片切断。

主权项：1.一种器件芯片的制造方法，将在由呈格子状设定于正面的分割预定线划分的区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件而制造器件芯片，其特征在于，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：树脂层形成步骤，在该晶片的正面侧形成树脂层；树脂层加工步骤，在该树脂层形成步骤之后，从形成有该树脂层的那侧沿着该分割预定线以第一输出照射激光束，对该树脂层形成激光加工槽；以及晶片切断步骤，在该树脂层加工步骤之后，以比该第一输出大的第二输出沿着该激光加工槽照射激光束，将该晶片切断。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 器件芯片的制造方法

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