申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2022-08-22

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425080A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/10;H01L27/088

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明公开了一种晶体管及半导体器件，涉及半导体技术领域，用于解决半导体器件中环栅晶体管与另一具有较厚的栅介质层和或栅极的晶体管的兼容性较差的问题，降低上述两种晶体管的集成难度。所述晶体管件包括：有源结构、隔离层和栅堆叠结构。其中，有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的至少两层沟道层。至少两层沟道层分别与源区和漏区接触。相邻两层沟道层之间具有第一间隙。隔离层至少包括第一隔离层。第一隔离层至少填充满第一间隙。至少两层沟道层和隔离层构成第一鳍状结构。栅堆叠结构横跨在第一鳍状结构上。所述晶体管应用至半导体器件中。

主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：有源结构、隔离层和栅堆叠结构；其中，所述有源结构包括源区、漏区、以及位于所述源区和所述漏区之间的至少两层沟道层；所述至少两层沟道层分别与所述源区和所述漏区接触；相邻两层所述沟道层之间具有第一间隙；所述隔离层至少包括第一隔离层；所述第一隔离层至少填充满所述第一间隙；所述至少两层沟道层和所述隔离层构成第一鳍状结构；所述栅堆叠结构横跨在所述第一鳍状结构上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种晶体管及半导体器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD