申请/专利权人：北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司

申请日：2022-08-26

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425106A

主分类号：H01L31/107

分类号：H01L31/107;H01L31/0288;H01L31/0376

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明公开了一种光电探测器件，包括：PN结层，所述PN结层包括层叠设置的P型掺杂层与N型掺杂层；所述PN结层具有中心区域与边缘区域，所述边缘区域围绕所述中心区域设置，所述中心区域的掺杂浓度大于所述边缘区域的掺杂浓度。通过将中心区域的掺杂浓度大于边缘区域的掺杂浓度，可以改变电场的分布，使得中心区域的电场高，边缘的电场明显降低，表面漏电流也会得到改善，边缘电场的降低可以有效避免器件发生边缘击穿，保证了非晶硅器件的稳定运行。

主权项：1.一种光电探测器件，其特征在于，包括：PN结层，所述PN结层包括层叠设置的P型掺杂层与N型掺杂层；所述PN结层具有中心区域与边缘区域，所述边缘区域围绕所述中心区域设置，所述中心区域的掺杂浓度大于所述边缘区域的掺杂浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 光电探测器件

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