申请/专利权人：苏州中辉激光科技有限公司;苏州中辉鑫成机电科技有限公司

申请日：2022-08-31

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425502A

主分类号：H01S3/06

分类号：H01S3/06

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2022.12.02#公开

摘要：本发明涉及一种碟片晶体及其键合方法，碟片晶体的键合方法包括以下步骤：提供增益晶体、键合晶体以及过渡层；将增益晶体、过渡层以及键合晶体依次层叠固定为一体，得到预制晶体；对预制晶体进行热压处理；对热压处理之后的预制晶体进行冷却处理，得到碟片晶体。本发明提供的键合方法得到的碟片晶体，由于过渡层的存在，碟片晶体在键合过程中不受增益晶体与键合晶体二者晶体热膨胀系数差异的影响，显著降低晶体温升，减小碟片晶体的应力和表面变形，极大地改善键合后的碟片晶体表面形貌和牢固性，防止碟片晶体在使用过程中出现开裂等不良现象，提高碟片晶体的使用寿命。

主权项：1.一种碟片晶体的键合方法，其特征在于，包括以下步骤：S110：提供增益晶体、键合晶体以及过渡层；S120：将所述增益晶体、所述过渡层以及所述键合晶体依次层叠固定为一体，得到预制晶体；S130：对所述预制晶体进行热压处理；S140：对热压处理之后的所述预制晶体进行冷却处理，得到碟片晶体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州中辉激光科技有限公司;苏州中辉鑫成机电科技有限公司 碟片晶体及其键合方法

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