申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2022-08-29

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425037A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明提供了一种CIS器件的形成方法，包括：提供衬底以及位于衬底上的氧化层和氮化层，衬底分为相邻像素区和逻辑区；刻蚀氮化层、氧化层和衬底在像素区的衬底内和逻辑区的衬底内分别形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；刻蚀第二浅沟槽的底部，以形成第三浅沟槽，同时，逻辑区的氮化层的表面被部分刻蚀，像素区的氮化层和逻辑区的氮化层形成高度差；在像素区的氮化层的表面和逻辑区的氮化层的表面均形成一层底部抗反射层；在逻辑区的底部抗反射层上形成光刻胶；刻蚀像素区的底部抗反射层，以露出像素区的氮化层；刻蚀像素区的氮化硅，使得剩余的像素区的氮化层与逻辑区的氮化层的厚度齐平。本发明消除了像素区的氮化层和逻辑区的氮化层的高度差。

主权项：1.一种CIS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底以及依次位于所述衬底上的氧化层和氮化层，所述衬底分为相邻像素区和逻辑区，所述氧化层和氮化层均位于所述像素区的衬底和逻辑区的衬底上；刻蚀所述氮化层、所述氧化层和所述衬底，以在所述像素区的衬底和所述逻辑区的衬底内分别形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；刻蚀所述第二浅沟槽的底部，使所述第二沟槽的深度增加，以形成第三浅沟槽，同时，所述逻辑区的氮化层的表面被部分刻蚀，所述像素区的氮化层和所述逻辑区的氮化层形成高度差；在所述像素区的氮化层的表面和所述逻辑区的氮化层的表面均形成一层底部抗反射层，所述底部抗反射层同时填充所述第一浅沟槽和所述第三浅沟槽；在所述逻辑区的底部抗反射层上形成光刻胶；刻蚀所述像素区的底部抗反射层，以露出所述像素区的氮化层；以及刻蚀所述像素区的氮化硅，使得剩余的像素区的氮化层与所述逻辑区的氮化层的厚度齐平。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 CIS器件的形成方法

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