申请/专利权人：南京理工大学

申请日：2022-09-05

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425929A

主分类号：H03D7/14

分类号：H03D7/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明公开了一种具有高谐波抑制比的电流复用移相混频器，射频输入信号RFIN经过正交发生单元产生I、Q两组差分信号，分别进入I路高谐波抑制比移相混频单元和Q路高谐波抑制比移相混频单元，与本振信号中的差分本振信号、时序控制单元的控制信号进行混频并实现移相，产生I、Q两路差分中频信号；I路差分中频信号中的正端与Q路差分中频信号中的正端输入进同一负载，产生中频正输出信号；I路差分中频信号中的负端与Q路差分中频信号中的负端输入进同一负载，产生中频负输出信号；中频正输出信号和中频负输出信号共同组成中频差分输出信号。本发明结构简单紧凑，提高了系统的移相精度的同时可以实现混频，降低了系统的功耗。

主权项：1.一种具有高谐波抑制比的电流复用移相混频器，其特征在于，包括正交发生单元、I路高谐波抑制比移相混频单元、Q路高谐波抑制比移相混频单元、时序控制单元，射频信号RFIN与正交发生单元的输入端连接，正交发生单元产生的四个输出IRF+、IRF-、QRF+、QRF-，其中IRF+、IRF-与I路高谐波抑制比移相混频单元的射频信号输入端相连、QRF+、QRF-与Q路高谐波抑制比移相混频单元的射频信号输入端相连；外部输入的本振差分正交信号为ILO+、ILO-、QLO+、QLO-，其中ILO+、ILO-与I路高谐波抑制比移相混频单元的本振信号输入端相连，QLO+、QLO-与Q路高谐波抑制比移相混频单元的本振信号输入端相连；I路高谐波抑制比移相混频单元、Q路高谐波抑制比移相混频单元分别具有两个输出端，产生IIF+、IIF-与QIF+、QIF-信号，其中IIF+与QIF+与同一负载相连实现矢量合成，IIF-与QIF-与同一负载相连实现矢量合成，最后产生IF+与IF-的一对差分输出信号；射频输入信号RFIN经过正交发生单元产生I、Q两组差分信号，I路差分信号进入I路高谐波抑制比移相混频单元，与本振信号中的I路差分本振信号、时序控制单元的控制信号进行混频并实现移相，产生I路差分中频信号；Q路差分信号进入Q路高谐波抑制比移相混频单元，与本振信号中的Q路差分本振信号、时序控制单元的控制信号进行混频并实现移相，产生Q路差分中频信号；I路差分中频信号中的正端与Q路差分中频信号中的正端输入进同一负载，产生中频正输出信号；I路差分中频信号中的负端与Q路差分中频信号中的负端输入进同一负载，产生中频负输出信号；中频正输出信号和中频负输出信号共同组成中频差分输出信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京理工大学 一种具有高谐波抑制比的电流复用移相混频器

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