申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2022-09-21

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425040A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明涉及一种BSI图像传感器。所述BSI图像传感器中，金属导线沿相应导线沟槽的延伸方向延伸，并间隔背面介质层覆盖相应所述导线沟槽的内表面，相对于在平坦表面设置金属导线的情况，可以在不需增大像素基底尺寸的情况下，降低金属导线的电阻，提升BSI图像传感器的背面金属导线的导电性能；并且，所述BSI图像传感器中，至少部分所述金属导线内设置有应力释放插槽，所述应力释放插槽贯穿相应的所述金属导线，所述应力释放插槽可以有效分担及缓释金属导线两侧的隔断槽区域的应力，减小所述隔断槽内的应力聚集，降低缺陷产生几率，有助于满足可靠性测试要求。

主权项：1.一种BSI图像传感器，其特征在于，包括：像素基底，包括像素区和外围区，且在所述像素区内形成有多个光电传感区域，以感测从所述像素基底的背面进入的光线；导线沟槽，对应于所述外围区形成在所述像素基底背面；背面介质层，形成于所述像素基底的背面，并保形覆盖所述导线沟槽的内表面；以及金属导线，沿相应所述导线沟槽的延伸方向延伸，并间隔所述背面介质层覆盖相应所述导线沟槽的内表面，所述金属导线两侧具有隔断槽，所述隔断槽位于相应的所述导线沟槽外且暴露所述背面介质层，其中，至少部分所述金属导线内设置有应力释放插槽，所述应力释放插槽贯穿相应的所述金属导线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 BSI图像传感器

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