申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2022-09-21

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115415664A

主分类号：B23K26/046

分类号：B23K26/046;B23K26/70;C30B29/06;C30B33/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明提供一种黑硅的制备方法，包括：在完成前一加工路径的诱导加工后，将激光束以聚焦的方式在当前加工路径的表面形成第一光斑，以对所述当前加工路径进行第一次诱导加工，使当前加工路径的表面形成微米级结构；在第一次诱导加工完成之后，将激光束以负离焦的方式在当前加工路径的表面形成第二光斑，以对所述当前加工路径进行第二次诱导加工，使当前加工路径的表面形成纳米级结构。本发明提供的黑硅的制备方法，能够降低激光加工过程中对材料的保护要求，减少危险化工物品的使用。

主权项：1.一种黑硅的制备方法，其特征在于，包括：在完成前一加工路径的诱导加工后，将激光束以聚焦的方式在当前加工路径的表面形成第一光斑，以对所述当前加工路径进行第一次诱导加工，使当前加工路径的表面形成微米级结构；在第一次诱导加工完成之后，将激光束以负离焦的方式在当前加工路径的表面形成第二光斑，以对所述当前加工路径进行第二次诱导加工，使当前加工路径的表面形成纳米级结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 黑硅的制备方法

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