申请/专利权人：江苏铨力微电子有限公司

申请日：2022-09-24

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425086A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本申请涉及一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法。一种沟槽双栅晶体管原胞结构，包括导电衬底、导电外延层、P‑well结区、源结区和源区引线金属，导电外延层、P‑well结区和源结区上开设有闭环硅槽，闭环硅槽的槽壁上形成有绝缘隔离氧化层，闭环硅槽内设置有虚拟栅多晶硅和有效栅多晶硅，虚拟栅多晶硅与有效栅多晶硅之间还设置有虚拟栅隔离氧化层，有效栅多晶硅与源区引线金属之间还设置有效栅隔离氧化层；源结区包括交替设置的N+源结区和P+源结区，源区引线金属上开设有电连接插槽，源结区靠近源区引线金属的一侧插装在电连接插槽中。本申请的沟槽双栅晶体管原胞结构缩小了原胞的结构尺寸，减小了导通电阻、导通损耗和开关损耗高，提高了性价比。

主权项：1.一种沟槽双栅晶体管原胞结构，其特征在于，包括依次层叠设置的导电衬底（1）、导电外延层（2）、P-well结区（3）、源结区（4）和源区引线金属（5），导电外延层（2）、P-well结区（3）和源结区（4）上对应开设有闭环硅槽（6），闭环硅槽（6）的槽壁上形成有绝缘隔离氧化层，闭环硅槽（6）内设置有虚拟栅多晶硅（8）和有效栅多晶硅（9），虚拟栅多晶硅（8）和有效栅多晶硅（9）均为与闭环硅槽（6）形状适配的闭环状结构，虚拟栅多晶硅（8）位于闭环硅槽（6）的底部，有效栅多晶硅（9）位于虚拟栅多晶硅（8）的远离导电衬底（1）一侧，且虚拟栅多晶硅（8）位于闭环硅槽（6）中对应导电外延层（2）的位置，有效栅多晶硅（9）位于闭环硅槽（6）中对应P-well结区（3）的位置，虚拟栅多晶硅（8）与有效栅多晶硅（9）之间还设置有将二者绝缘隔离的虚拟栅隔离氧化层（73），有效栅多晶硅（9）与源区引线金属（5）之间还设置有将二者绝缘隔离的有效栅隔离氧化层（74）；源结区（4）包括沿闭环硅槽（6）长度方向交替设置的N+源结区（41）和P+源结区（42），源区引线金属（5）上对应源结区（4）的位置开设有电连接插槽（51），源结区（4）靠近源区引线金属（5）的一侧插装在电连接插槽（51）中并与源区引线金属（5）接触连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏铨力微电子有限公司 一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法

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