申请/专利权人:安徽三安光电有限公司
申请日:2022-09-28
公开(公告)日:2022-12-02
公开(公告)号:CN115425125A
主分类号:H01L33/04
分类号:H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开
摘要:本发明属于半导体技术领域,尤其涉及发光二极管及发光装置,包括:衬底,以及依次位于所述衬底上的第一半导体层、发光层、最后势垒层、电子阻挡层和第二半导体层;所述发光层包括n个周期的量子阱结构,所述量子阱结构包括一层量子垒层和一层量子阱层;所述最后势垒层厚度为发光层厚度的0.2倍~0.7倍。本发明可以有效提高电子和空穴在发光层里的分布均匀性,减少无效辐射复合的概率,提高整体的发光效率。
主权项:1.发光二极管,其特征在于,包括:衬底,以及依次位于所述衬底上的第一半导体层、发光层、最后势垒层、电子阻挡层和第二半导体层;所述发光层包括n个周期的量子阱结构,所述量子阱结构包括一层量子阱层和一层量子垒层;所述最后势垒层厚度为发光层厚度的0.2倍~0.7倍。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 安徽三安光电有限公司 发光二极管及发光装置
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