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【发明公布】半导体器件及半导体器件的制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202211195367.4 

申请/专利权人:合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日:2022-09-28

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN115425087A

主分类号:H01L29/78

分类号:H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要:本发明提供一种半导体器件及一种半导体器件的制造方法。所述半导体器件包括形成于衬底表面区域的晶体管,其中,在所述晶体管栅极下方的沟道区两端设有LDD区,所述LDD区包括第一LDD区以及更靠近所述沟道区且相对于所述衬底表面浅于所述第一LDD区的第二LDD区,所述第一LDD区与所述第二LDD区的边界位于所述栅极端部的内侧,所述第一LDD区和所述第二LDD区的设置使所述LDD区便于加深和增宽,可以有效减弱漏侧电场,提升MOSFET的热载流子抑制效果。

主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括形成于衬底表面区域的晶体管,其中,在所述晶体管栅极下方的沟道区两端设有LDD区,所述LDD区包括第一LDD区以及更靠近所述沟道区且相对于所述衬底表面浅于所述第一LDD区的第二LDD区,所述第一LDD区与所述第二LDD区的边界位于所述栅极端部的内侧。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体器件及半导体器件的制造方法

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