申请/专利权人:合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日:2022-09-28
公开(公告)日:2022-12-02
公开(公告)号:CN115425087A
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开
摘要:本发明提供一种半导体器件及一种半导体器件的制造方法。所述半导体器件包括形成于衬底表面区域的晶体管,其中,在所述晶体管栅极下方的沟道区两端设有LDD区,所述LDD区包括第一LDD区以及更靠近所述沟道区且相对于所述衬底表面浅于所述第一LDD区的第二LDD区,所述第一LDD区与所述第二LDD区的边界位于所述栅极端部的内侧,所述第一LDD区和所述第二LDD区的设置使所述LDD区便于加深和增宽,可以有效减弱漏侧电场,提升MOSFET的热载流子抑制效果。
主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括形成于衬底表面区域的晶体管,其中,在所述晶体管栅极下方的沟道区两端设有LDD区,所述LDD区包括第一LDD区以及更靠近所述沟道区且相对于所述衬底表面浅于所述第一LDD区的第二LDD区,所述第一LDD区与所述第二LDD区的边界位于所述栅极端部的内侧。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体器件及半导体器件的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。