申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2022-09-29

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115424981A

主分类号：H01L21/78

分类号：H01L21/78

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2022.12.02#公开

摘要：本申请公开了一种切割方法及键合方法，该切割方法包括：提供基底，包括相背设置的第一表面和第二表面，形成有若干器件区和相邻器件区之间的间隔区；将第一表面与第一承载件贴合；在第二表面形成保护层；在保护层上形成第一开口，第一开口贯穿间隔区所对应的保护层并暴露第二表面；在第一开口下方的间隔区内形成第二开口，第二开口从第二表面向第一表面延伸至预期深度，第二开口背离第一开口一侧的剩余基底形成黏连部；对第一承载件进行扩张形变处理，黏连部断开且基底分离形成相互分离的多个器件；将多个器件远离第一承载件的一面与第二承载件贴合；去除第一承载件。通过上述方式，可以改善扩膜后传送过程中的器件剥离、移位以及堆叠的情况。

主权项：1.一种切割方法，其特征在于，包括：提供基底，其中，所述基底包括相背设置的第一表面和第二表面，所述基底形成有若干器件区和连接于相邻所述器件区之间的间隔区；将所述第一表面与第一承载件贴合；在所述基底的第二表面形成保护层；在所述保护层上形成第一开口，所述第一开口贯穿所述间隔区所对应的保护层并暴露所述基底的所述第二表面；在所述第一开口下方的所述间隔区内形成第二开口，其中，所述第二开口从所述第二表面向所述第一表面延伸至预期深度，所述第二开口背离所述第一开口一侧的剩余所述基底形成黏连部；对所述第一承载件进行扩张形变处理，所述黏连部断开且所述基底分离形成相互分离的多个器件；将多个所述器件远离所述第一承载件的一面与第二承载件贴合；去除所述第一承载件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种切割方法及键合方法

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