申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-10-14

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425027A

主分类号：H01L27/11521

分类号：H01L27/11521;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：一种闪存结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成存储栅材料层；对所述存储栅材料层进行第一图形化处理，在所述存储栅材料层内形成相互分立且暴露出所述衬底的字线栅开口和两个源漏开口，所述两个源漏开口分别位于所述字线栅开口两侧，以所述字线栅开口和所述源漏开口之间的存储栅材料层形成存储栅结构；在所述字线栅开口和所述源漏开口内形成初始字线栅结构；对所述初始字线栅结构进行第二图形化处理，以去除所述源漏开口内的所述初始字线栅结构，在所述字线栅开口内形成字线栅结构，避免了因套刻误差造成的两个存储栅结构的差异，进而提高了闪存结构的性能稳定性。

主权项：1.一种闪存结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成存储栅材料层；对所述存储栅材料层进行第一图形化处理，在所述存储栅材料层内形成相互分立且暴露出所述衬底的字线栅开口和两个源漏开口，所述两个源漏开口分别位于所述字线栅开口两侧，以所述字线栅开口和所述源漏开口之间的存储栅材料层形成存储栅结构；在所述字线栅开口和所述源漏开口内形成初始字线栅结构；对所述初始字线栅结构进行第二图形化处理，以去除所述源漏开口内的所述初始字线栅结构，在所述字线栅开口内形成字线栅结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 闪存结构的形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD