申请/专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司

申请日：2022-11-03

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115424977A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本申请涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法。浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供基底；于所述基底内形成浅沟槽；于所述浅沟槽的侧壁及底部形成侧壁氧化层；对所述侧壁氧化层进行离子注入，以形成隔离阻挡层；于所述浅沟槽内形成填充介质层，以形成浅沟槽隔离结构。通过在基底内形成浅沟槽，在浅沟槽的侧壁及底部形成侧壁氧化层，然后对侧壁氧化层进行离子注入，以形成隔离阻挡层，可以对浅沟槽进行隔离保护，在浅沟槽内形成填充介质层以形成浅沟槽隔离结构后，隔离阻挡层可以阻挡后续工艺中产生的硼离子扩散进入填充介质层内，使浅沟槽隔离结构免受破坏，避免器件产生双峰效应。

主权项：1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；于所述基底内形成浅沟槽；于所述浅沟槽的侧壁及底部形成侧壁氧化层；对所述侧壁氧化层进行离子注入，以形成隔离阻挡层；于所述浅沟槽内形成填充介质层，以形成浅沟槽隔离结构。

全文数据：

权利要求：

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