申请/专利权人：拉碧斯半导体株式会社

申请日：2016-03-29

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN106024872B

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331

优先权：["20150331 JP 2015-071476"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权;2018.03.30#实质审查的生效;2016.10.12#公开

摘要：本发明提供能够对于以往的横向IGBT不损伤击穿电压特性地改善输出特性的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包括：P型基极区域，其设置在N型半导体层的表层部；N型发射极区域，其设置在P型基极区域的内侧；P型集电极区域，其在N型半导体层的表层部被与P型基极区域分离地设置；栅极绝缘膜，其设置在N型半导体层的表面，与P型基极区域以及N型发射极区域接触；栅电极，其设置在栅极绝缘膜上；以及柱状构造物，其设置在N型半导体层的内部的P型基极区域与P型集电极区域之间，上述柱状构造物的一端与在N型半导体层的表层部延伸的N型半导体连接，并且具有沿N型半导体层的深度方向延伸的绝缘体。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：P型基极区域，其设置在N型半导体层的表层部；N型发射极区域，其设置在上述P型基极区域的内侧；P型集电极区域，其在上述N型半导体层的表层部被与上述P型基极区域分离地设置；栅极绝缘膜，其设置在上述N型半导体层的表面，与上述P型基极区域以及上述N型发射极区域接触；栅电极，其设置在上述栅极绝缘膜上；以及柱状构造物，其设置在上述N型半导体层的内部的上述P型基极区域与上述P型集电极区域之间，上述柱状构造物的一端与在上述N型半导体层的表层部延伸的N型半导体连接，并且具有沿上述N型半导体层的深度方向延伸的绝缘体，上述柱状构造物的与上述N型半导体连接的一端比上述P型基极区域位于上方，还包括绝缘体区域，上述绝缘体区域设置在上述N型半导体层的表层部的上述P型基极区域与上述P型集电极区域之间，上述柱状构造物在与上述绝缘体区域之间夹着上述N型半导体而与上述绝缘体区域分离，作为上述P型基极区域和上述P型集电极区域并排的方向的栅极长度方向上的上述柱状构造物的宽度是上述绝缘体区域的上述栅极长度方向上的长度的6.7％以上29.2％以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 拉碧斯半导体株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法

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