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【发明授权】制备非晶硅薄膜的方法_长鑫存储技术有限公司_201811140963.6 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2018-09-28

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN110970287B

主分类号:H01L21/02

分类号:H01L21/02;H01L21/033

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.12.02#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.07#公开

摘要:本发明提供一种制备非晶硅薄膜的方法,包括:将基底放入反应腔室内;向所述反应腔室通入第一气体,对所述基底进行等离子体处理;向所述反应腔室内通入硅源气体,采用等离子体增强化学气相沉积工艺,以第一沉积速率沉积第一非晶硅层,并在所述第一非晶硅层上以第二沉积速率沉积第二非晶硅层,其中,所述第一沉积速率低于所述第二沉积速率。本发明的制备方法可减少基底与非晶硅薄膜之间的界面缺陷,减少突起的形成和剥落的产生,改善非晶硅薄膜与基底的粘附性,从而在图案化过程中实现精准的图案转移。

主权项:1.一种制备非晶硅薄膜的方法,包括:将基底放入反应腔室内,所述基底表面存在Si-H键;向所述反应腔室通入第一气体,对所述基底进行等离子体处理,以使所述Si-H键断裂;向所述反应腔室内通入硅源气体,采用等离子体增强化学气相沉积工艺,以第一沉积速率在所述基底上沉积第一非晶硅层,所述第一沉积速率为0.5~2nms,所述第一非晶硅层的厚度为5~50nm,以使所述基底与所述第一非晶硅层之间的界面处产生的H2通过所述第一非晶硅层逸散出来;在所述第一非晶硅层上以第二沉积速率沉积第二非晶硅层,其中,所述第一沉积速率低于所述第二沉积速率,所述第二沉积速率为4~10nms,其中所述第二非晶硅层的厚度为550~600nm,以生成非晶硅薄膜,所述非晶硅薄膜用作图案化中的硬掩膜。

全文数据:

权利要求:

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