申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2018-11-07

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN111162043B

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234;H01L27/088

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权;2020.06.09#实质审查的生效;2020.05.15#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和多个分立于衬底上的鳍部；对鳍部进行切断处理，形成切口，切口底面与衬底表面齐平，或者低于衬底表面；在切口中形成隔离结构，且隔离结构顶面低于鳍部顶壁；在未被隔离结构覆盖的切口侧壁上形成绝缘层；在隔离结构上以及绝缘层上形成第一栅极结构；在鳍部上形成第二栅极结构，第二栅极结构横跨鳍部，第二栅极结构覆盖鳍部的部分顶壁和部分侧壁；在第二栅极结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层。第一栅极结构与源漏掺杂层和鳍部之间也不会形成泄露通道，也就是说第一栅极结构与源漏掺杂层和鳍部之间不会出现漏电流的情况，优化了半导体结构的电学性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底和多个分立于所述衬底上的鳍部；对所述鳍部进行切断处理，形成切口，所述切口底面与所述衬底表面齐平，或者低于所述衬底表面；在所述切口中形成隔离结构，且所述隔离结构顶面低于所述鳍部顶壁；在未被所述隔离结构覆盖的所述切口侧壁上形成绝缘层，所述绝缘层还形成在靠近切口的所述鳍部顶部；在所述隔离结构上以及绝缘层上形成第一栅极结构；在所述鳍部上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨所述鳍部，所述第二栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶壁和部分侧壁；在所述第二栅极结构两侧的所述鳍部中形成源漏掺杂层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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