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【发明授权】等离子体处理装置和等离子体处理方法_东京毅力科创株式会社_201910505078.1 

申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

申请日:2019-06-12

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN110610843B

主分类号:H01J37/32

分类号:H01J37/32;C03C23/00

优先权:["20180615 JP 2018-114946"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.12.02#授权;2020.01.17#实质审查的生效;2019.12.24#公开

摘要:本发明提供不论基片的大小如何都能够在进行等离子体处理时高精度地检测出基片与载置台的局部剥离的技术。本发明的等离子体处理装置中,对静电吸附电极施加直流电压,将玻璃基片静电吸附于载置台,根据直流电压的变化来检测出玻璃基片与载置台的剥离,该等离子体处理装置能够测量施加到静电吸附电极的直流电压并获取电压测量值。并且,获取电压测量值与经施加的电压设定值的差值,将差值放大来获取差放大值。并且比较差放大值与阈值,当差放大值超过了阈值时,停止施加产生等离子体的高频电力。因此,当玻璃基片大型化而直流电压的变化变小时,也能够检测出玻璃基片与载置台的剥离。

主权项:1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:设置在真空容器内的用于载置作为等离子体处理的处理对象的基片的载置台,其中所述真空容器用于对基片进行所述等离子体处理;静电吸附电极,其配置在形成于所述载置台的电介质层内,能够对载置于所述载置台的基片进行静电吸附;直流电源,其对所述静电吸附电极施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压;供给高频电力的高频电力供给部,其中所述高频电力用于在所述真空容器内产生处理气体的等离子体而将其供给到所述基片;测量施加到所述静电吸附电极的直流电压的电压测量部;差值获取部,其获取对应于由所述电压测量部测量出的直流电压的测量值与所述电压设定值之差的差值;放大部,其放大由所述差值获取部获得的差值来获取放大值;和控制部,其比较所述放大值与对该放大值预先设定的阈值,在所述放大值超过了所述阈值时,检测出所述基片与所述载置台的剥离,输出用于停止从所述高频电力供给部供给高频电力的控制信号,所述放大部通过使所述差值乘以放大率来获取所述放大值,所述放大率是基于所述处理对象的基片的面积与预先决定的标准尺寸的基片的面积之比而计算得到的。

全文数据:

权利要求:

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