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【发明授权】蚀刻组合物_富士胶片电子材料美国有限公司_201980091144.3 

申请/专利权人:富士胶片电子材料美国有限公司

申请日:2019-07-22

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN113412324B

主分类号:C09K13/08

分类号:C09K13/08;H01L21/311

优先权:["20181203 US 62/774,382","20190228 US 62/811,600"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.12.02#授权;2021.11.30#实质审查的生效;2021.09.17#公开

摘要:本公开涉及蚀刻组合物,该蚀刻组合物可供使用于,例如,作为多步骤半导体制备过程中的中间步骤,选择性地从半导体基板去除硅锗SiGe。

主权项:1.一种蚀刻组合物,包含:至少一种含氟酸,所述至少一种含氟酸的量为所述组合物的至多2wt%,所述至少一种含氟酸包含氢氟酸或六氟硅酸;至少一种氧化剂,所述至少一种氧化剂的量为所述组合物的5wt%至20wt%;至少一种有机酸或其酸酐,所述至少一种有机酸或其酸酐的量为所述组合物的30wt%至90wt%,所述至少一种有机酸包含甲酸、乙酸、丙酸或丁酸;至少一种聚合萘磺酸;所述至少一种聚合萘磺酸的含量为所述组合物的0.005wt%至0.15wt%;所述至少一种聚合萘磺酸包含具有如下结构的磺酸: 其中n是3至6;至少一种胺,所述至少一种胺的量为所述组合物的0.001wt%至0.15wt%,所述至少一种胺包含化学式I:N-R1R2R3的胺,其中R1是任选被OH或NH2取代的C1-C8烷基,R2是H或任选被OH取代的C1-C8烷基,以及R3是任选被OH取代的C1-C8烷基;以及水。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 富士胶片电子材料美国有限公司 蚀刻组合物

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