申请/专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日:2020-03-13
公开(公告)日:2022-12-02
公开(公告)号:CN111341653B
主分类号:H01L21/28
分类号:H01L21/28;H01L27/11521
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.12.02#授权;2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开
摘要:本发明提供一种浮栅层的形成方法,包括:提供一衬底,所述衬底包括存储区和逻辑区,所述衬底上形成有栅氧化层、未掺杂多晶硅层、氮化硅层以及第一掩膜层;形成浅沟槽隔离结构;形成第二掩膜层;去除所述存储区的所述第二掩膜层、所述氮化硅层以及第二厚度的所述浅沟槽隔离结构;形成第三掩膜层;以所述第三掩膜层为掩膜,对所述存储区的所述未掺杂多晶硅层进行离子注入以得到掺杂离子的浮栅层。其中,在形成所述浅沟槽隔离结构后才对所述未掺杂多晶硅层进行离子注入以得到浮栅层,避免了所述浮栅层中的离子受高温的影响向外扩散的情况,从而保证了后续形成的快闪存储器存储数据的有效性。
主权项:1.一种浮栅层的形成方法,其特征在于,包括:提供一衬底,所述衬底包括存储区以及逻辑区,所述衬底上形成有依次堆叠的栅氧化层、未掺杂多晶硅层、氮化硅层以及第一掩膜层;采用高温工艺形成浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构位于所述氮化硅层、所述未掺杂多晶硅层、所述栅氧化层以及所述衬底中,所述浅沟槽隔离结构的表面与所述氮化硅层的表面齐平,所述高温工艺包括第一次热退火和第二次热退火,所述第一次热退火的温度介于1100℃~1200℃,所述第二次热退火的温度介于900℃~1100℃;形成第二掩膜层,所述第二掩膜层覆盖所述氮化硅层以及所述浅沟槽隔离结构;去除所述存储区的所述第二掩膜层、所述氮化硅层以及第二厚度的所述浅沟槽隔离结构,其中,所述存储区中,剩余厚度的所述浅沟槽隔离结构上且所述未掺杂多晶硅层中形成第一沟槽;形成第三掩膜层,所述第三掩膜层填充所述第一沟槽以及覆盖所述存储区的所述未掺杂多晶硅层和所述逻辑区的所述第二掩膜层;以及,以所述第三掩膜层为掩膜,对所述存储区的所述未掺杂多晶硅层进行离子注入以得到掺杂离子的浮栅层,并去除所述第三掩膜层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海华虹宏力半导体制造有限公司 浮栅层的形成方法
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