申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-03-23

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN111384062B

主分类号：H01L27/1157

分类号：H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权;2020.07.31#实质审查的生效;2020.07.07#公开

摘要：本发明提供一种三维存储器及三维存储器制造方法，该三维存储器包括基底以及设置于基底上的堆栈结构及外部结构；外部结构连接在堆栈结构的外围边缘，且外部结构设置有贯穿外部结构的导电触点；堆栈结构中设置有贯穿堆栈结构的沟道结构；基底背离堆栈结构的一侧设置有平行基底延伸的导电体，导电体的一端具有贯穿基底的第一导电部，第一导电部与导电触点电连接；导电体的另一端具有第二导电部，第二导电部嵌入与堆栈结构相对应的基底中，并与沟道结构电连接，从而可以取消相关技术中堆栈结构中的公共源极触点，避免了形成耦合电容的问题，提高三维存储器的读取及擦除速率。

主权项：1.一种三维存储器，其特征在于，包括：基底以及设置于基底上的堆栈结构及外部结构；所述外部结构连接在所述堆栈结构的外围边缘，且所述外部结构设置有贯穿所述外部结构的导电触点；所述堆栈结构中设置有贯穿所述堆栈结构的沟道结构；所述基底背离所述堆栈结构的一侧设置有平行所述基底延伸的导电体，所述导电体的一端具有贯穿所述基底的第一导电部，所述第一导电部与所述导电触点电连接；所述导电体的另一端具有第二导电部，所述第二导电部嵌入与所述堆栈结构相对应的所述基底中，并与所述沟道结构电连接；所述第二导电部包括与所述导电体连接的第一导电段，以及与所述第一导电段连接的第二导电段，所述第一导电段与所述基底之间设置有第一绝缘层；所述基底具有围绕在所述第一绝缘层外的掺杂区域；所述第二导电段沿平行于所述基底的方向凸出于所述第一绝缘层，且所述第二导电段凸出于所述第一绝缘层的部分与所述掺杂区域接触；所述第一导电部与所述基底之间设置有第二绝缘层。

全文数据：

权利要求：

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