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【发明授权】存储器及其形成方法_福建省晋华集成电路有限公司_202011211530.2 

申请/专利权人:福建省晋华集成电路有限公司

申请日:2020-11-03

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN112331650B

主分类号:H01L27/108

分类号:H01L27/108;H01L21/8242

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.12.02#授权;2021.02.26#实质审查的生效;2021.02.05#公开

摘要:本发明提供了一种存储器及其形成方法,第一支撑层横向支撑第一电极的侧壁的顶部,且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层,所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上,掺碳的第一绝缘层具有较好的抗刻蚀能力,能够降低制备存储器时所述第一支撑层被其他刻蚀工艺破坏的程度,也即只有所述第一支撑层顶部被破坏,而所述第一支撑层的底部是完好的,可以保证所述第一支撑层的支撑效果;并且,虽然所述第一绝缘层掺碳会造成漏电,但是只有所述第一绝缘层掺碳,所述第二绝缘层是不掺碳的,相对现有技术可降低漏电情况,进而提高存储器的性能。

主权项:1.一种存储器,其特征在于,包括:衬底;第一电极,设置于所述衬底上并向上延伸;第一支撑层,横向支撑所述第一电极的侧壁的顶部,所述第一支撑层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度,且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层,所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上;金属氧化物层,位于所述第一电极上并顺形的覆盖所述第一电极及所述第一支撑层的表面;以及,第二电极,位于至少部分所述金属氧化物层上;所述第二绝缘层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度,所述第一电极与所述第二绝缘层的侧壁之间具有间隙,所述金属氧化物层填充所述间隙。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 福建省晋华集成电路有限公司 存储器及其形成方法

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