申请/专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司

申请日：2020-12-31

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN112750696B

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L29/423

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权;2021.05.21#实质审查的生效;2021.05.04#公开

摘要：本发明提供了一种沟槽型功率器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括器件单元区和电极连接区，在所述基底上形成ONO层；刻蚀所述基底，以在所述器件单元区形成若干第一沟槽以及在所述电极连接区形成若干第二沟槽；在所述第一沟槽及所述第二沟槽的内壁上形成第一介质层；分别在所述第一沟槽及所述第二沟槽中的第一介质层上形成屏蔽栅层及电极连接层；以所述ONO层作为掩模对所述第一沟槽中的第一介质层进行湿法刻蚀以使所述第一沟槽中的第一介质层的顶部低于所述屏蔽栅层的顶部；去除所述ONO层，并在所述基底上依次形成第二介质层及多晶硅层；本发明提高了沟槽型功率器件的可靠性。

主权项：1.一种沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括器件单元区和电极连接区，在所述基底上形成ONO层；刻蚀所述基底，以在所述器件单元区形成若干第一沟槽以及在所述电极连接区形成若干第二沟槽；通过热氧化工艺在所述第一沟槽及所述第二沟槽的外延层内壁上形成第一介质层；分别在所述第一沟槽及所述第二沟槽中的第一介质层上形成屏蔽栅层及电极连接层，所述屏蔽栅层填充所述第一沟槽且顶部低于所述第一沟槽的外延层顶部，所述电极连接层填充满所述第二沟槽；以所述ONO层以及所述电极连接层作为掩模对所述第一沟槽中的第一介质层进行湿法刻蚀以使所述第一沟槽中的第一介质层的顶部低于所述屏蔽栅层的顶部；去除所述ONO层，并在所述基底上依次形成第二介质层及多晶硅层，所述第二介质层覆盖所述第一沟槽的侧壁及所述屏蔽栅层的暴露的外壁，所述多晶硅层填充所述第一沟槽。

全文数据：

权利要求：

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