申请/专利权人：北京北方高业科技有限公司

申请日：2021-03-26

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN113865723B

主分类号：G01J5/10

分类号：G01J5/10;G01J5/20;G01J5/24;G01J5/58;G01J5/00;G01J5/068

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权;2022.01.21#实质审查的生效;2021.12.31#公开

摘要：本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构包括反射层和红外转换结构，红外转换结构通过支撑底座与CMOS测量电路系统电连接，构成热敏层的材料包括非晶硅、氧化钛、氧化钒或氧化钛钒中的至少一种；CMOS测量电路系统与红外转换结构之间未形成谐振腔，或者形成的谐振腔无法将红外光反射至红外转换结构，或者红外转换结构反射红外光。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题。

主权项：1.一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元，其特征在于，包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构，所述CMOS测量电路系统和所述CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在所述CMOS测量电路系统上方直接制备所述CMOS红外传感结构；所述CMOS红外传感结构的CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺以及RDL工艺，所述CMOS红外传感结构包括至少两层金属互连层、至少两层介质层和多个互连通孔；所述CMOS红外传感结构包括位于所述CMOS测量电路系统上的反射层和红外转换结构，所述反射层包括反射板和支撑底座，所述反射板与所述红外转换结构之间形成谐振腔，所述红外转换结构包括热敏层，构成所述热敏层的材料包括非晶硅、氧化钛、氧化钒或氧化钛钒中的至少一种；所述反射板与所述红外转换结构之间的谐振腔无法将红外光反射至所述红外转换结构；所述CMOS红外传感结构还包括位于所述反射层和所述红外转换结构之间的多个柱状结构，所述红外转换结构通过所述柱状结构和所述支撑底座与所述CMOS测量电路系统电连接，所述红外转换结构包括吸收板和多个梁结构，所述吸收板用于将红外信号转换为电信号并通过对应的所述梁结构与对应的所述柱状结构电连接，所述吸收板和所述梁结构位于不同层且所述吸收板与所述梁结构之间无柱状结构，所述吸收板朝向所述梁结构所在方向凹陷设置；牺牲层用于使CMOS红外传感结构形成镂空结构，所述CMOS红外传感结构还包括位于所述反射层上的至少一层密闭释放隔绝层，所述密闭释放隔绝层包覆所述柱状结构，所述密闭释放隔绝层用于在制作所述CMOS红外传感结构的刻蚀过程中保护所述CMOS测量电路系统不受工艺影响，以及用于增强所述柱状结构的力学强度，以及用于减小所述牺牲层的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方高业科技有限公司 基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器

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