申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-06-08

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN113314541B

主分类号：H01L27/1157

分类号：H01L27/1157;H01L27/11582

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权;2021.09.14#实质审查的生效;2021.08.27#公开

摘要：本公开实施例公开了一种存储器，包括：第一栅叠层结构，位于衬底表面，包括依次交替层叠设置的第一绝缘层和第一栅极层；第二栅叠层结构，位于第一栅叠层结构表面，包括依次交替层叠设置的第二绝缘层和第二栅极层；沟道结构，贯穿第一栅叠层结构和第二栅叠层结构；第一电荷阻挡结构，位于沟道结构和第一栅极层之间；第二电荷阻挡结构，贯穿第一栅叠层结构和第二栅叠层结构；其中，位于第一栅叠层结构中的第二电荷阻挡结构，位于沟道结构和第一电荷阻挡结构之间，且位于沟道结构和第一绝缘层之间；位于第二栅叠层结构中的第二电荷阻挡结构，位于沟道结构和第二栅极层之间，且位于沟道结构和第二绝缘层之间。

主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：第一栅叠层结构，位于衬底表面，包括依次交替层叠设置的第一绝缘层和第一栅极层；第二栅叠层结构，位于所述第一栅叠层结构表面，包括依次交替层叠设置的第二绝缘层和第二栅极层；沟道结构，贯穿所述第一栅叠层结构和所述第二栅叠层结构；第一电荷阻挡结构，位于所述沟道结构和所述第一栅极层之间；第二电荷阻挡结构，贯穿所述第一栅叠层结构和所述第二栅叠层结构；其中，位于所述第一栅叠层结构中的所述第二电荷阻挡结构，位于所述沟道结构和所述第一电荷阻挡结构之间，且位于所述沟道结构和所述第一绝缘层之间；位于所述第二栅叠层结构中的所述第二电荷阻挡结构，位于所述沟道结构和所述第二栅极层之间，且位于所述沟道结构和所述第二绝缘层之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器

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