申请/专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司

申请日：2022-01-20

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN114540785B

主分类号：C23C16/02

分类号：C23C16/02;C23C16/04;C23C16/30;C23C16/44;H01S5/20;H01S5/343

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权;2022.06.14#实质审查的生效;2022.05.27#公开

摘要：本发明公开了一种波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法，属于半导体激光器芯片制备技术领域，能够解决刻蚀后AlInGaAs有源区暴露在空气中表面容易氧化、且掩模上容易形成多晶的问题。所述方法包括：将有源层端部暴露在空气中的含铝晶片放入反应腔内部，并在第一温度时通入含P元素的化合物；升温至第二温度，烘烤晶片第一时长；以第一流量通入含卤素的化合物气体，以刻蚀掉有源层端部的氧化物，并通入含In元素的金属有机化合物，以在有源层刻蚀区域对应的缓冲层上生长InP平直层；将含卤素的化合物气体的流量减小至第三流量，并通入含Ga元素的金属有机化合物和含As元素的化合物，以在InP平直层上生长InGaAsP波导层。本发明用于制备激光器。

主权项：1.一种波导对接结构生长方法，其特征在于，所述方法包括：S11、将经过刻蚀后有源层端部暴露在空气中的含铝晶片放入MOCVD反应腔内部，并在所述反应腔温度达到第一温度时通入含P元素的化合物；所述含P元素的化合物为PH3或叔丁基二氢磷；S12、将所述反应腔温度升温至第二温度，并持续烘烤所述晶片第一时长；S131、向所述反应腔内以第一流量通入含卤素的化合物气体，以刻蚀掉所述有源层端部的氧化物，并将所述有源层刻蚀区域对应的缓冲层底部刻蚀出凸形结构；所述含卤素的化合物气体为含卤素的化合物悬浮在十六烷中形成的混合物，其中，含卤素的化合物为CBr4、HBr、PCl3、AsCl3、HCl、CCl4和CH3Cl中的任一种；S132、将所述含卤素的化合物气体的流量减小至第二流量，并向所述反应腔内通入含In元素的金属有机化合物，以在所述凸形结构上生长InP平直层；S14、将所述含卤素的化合物气体的流量减小至第三流量，并向所述反应腔内通入含Ga元素的金属有机化合物和含As元素的化合物，以在所述InP平直层上生长InGaAsP波导层，所述InGaAsP波导层覆盖所述晶片的有源层端部；其中，所述第一温度为300-450℃；所述第二温度为650-750℃；所述第一时长为10-30min；第一流量为5.8-6.4μmolmin；第二流量为2.5-3.2μmolmin；第三流量为2.0-2.8μmolmin。

全文数据：

权利要求：

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