买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明授权】一种带偏置电流匹配的基准电压源_电子科技大学_202210234907.9 

申请/专利权人:电子科技大学

申请日:2022-03-09

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN114661087B

主分类号:G05F1/567

分类号:G05F1/567

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.12.02#授权;2022.07.12#实质审查的生效;2022.06.24#公开

摘要:本发明涉及集成电路领域,公开了一种带偏置电流匹配的基准电路,通过在Brokaw型基准上改进偏置电流源,设计PTAT偏置电流源产生电路,使得偏置电流源的温度系数与基准核心对管的PTAT电流温度系数相等,从而在温度发生变化时,基准核心对管偏置状态保持一致,达到减小基准电压温漂系数的目的。

主权项:1.一种带偏置电流匹配的基准电压源,其特征在于,包括第一NPN管Q1、第二NPN管Q2、第三NPN管Q3、第四NPN管Q4、第五PNP管Q5、第六PNP管Q6、第七PNP管Q7、第八NPN管Q8、第九NPN管Q9、第十NPN管Q10;第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20;第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7、第八PMOS管M8、第九NMOS管M9、第十PMOS管M10、第十一NMOS管M11、第十二NMOS管M12、第十三NMOS管M13;第一电容C1;具体的,第一电阻R1的一端连接地,另一端连接第一NPN管Q1的发射极;第二电阻R2的一端连接地,另一端连接第二NPN管Q2的发射极、第三NPN管Q3的发射极、第五电阻R5的一端;第三电阻R3的一端连接输入电压VIN,另一端连接第一PMOS管M1的源极;第四电阻R4的一端连接输入电压VIN,另一端连接第二PMOS管M2的源极;第五电阻R5的另一端连接第三NMOS管M3的漏极;第六电阻R6的一端连接第四PMOS管M4的源极和栅极、第三PMOS管M3的栅极、第十PMOS管M10的栅极,另一端连接第五NMOS管M5的漏极;第七电阻R7的一端连接输入电压VIN,另一端连接第七PMOS管M7的栅极、第八电阻R8的一端、第九电阻R9的一端;第八电阻R8的另一端连接第七PMOS管M7的漏极、第一PMOS管M1的栅极、第二PMOS管M2的栅极和第八PMOS管M8的栅极;第九电阻R9的另一端连接第六NMOS管M6的漏极;第十电阻R10的一端连接输入电压VIN,另一端连接第八PMOS管M8的源极;第十一电阻R11的一端连接第八PMOS管M8的漏极,另一端连接第九NMOS管M9的栅极和漏极、第五NMOS管M5的栅极、第十二电阻R12的一端和第十二NMOS管M12的栅极;第十二电阻R12的另一端连接地;第十三电阻R13的一端连接第十一NMOS管M11的源极,另一端连接第十四电阻R14的一端、第十五电阻R15的一端、第十六电阻R16的一端和第十NPN管Q10的基极;第十四电阻R14的另一端连接第五PNP管Q5的发射极;第十五电阻R15的另一端连接第六PNP管Q6的发射极;第十六电阻R16的另一端连接第七PNP管Q7的发射极;第十七电阻R17的一端连接第八NPN管Q8的发射极,另一端连接第十八电阻R18的一端和第九NPN管Q9的发射极;第十八电阻R18的另一端连接地;第十九电阻R19的一端接连第七PNP管Q7的集电极,另一端连接地;第二十电阻R20的一端连接输出端VREF、第八NPN管Q8的基极、第九NPN管Q9的基极和第十NPN管Q10的发射极;第一NPN管Q1的基极连接第二NPN管Q2的基极和集电极、第二PMOS管M2的漏极,其集电极连接第一PMOS管M1的漏极、第三NPN管Q3的基极;第三NPN管Q3的集电极连接第五NMOS管M5的源极;第四NPN管Q4的基极和集电极连接第九NMOS管M9的源极,其发射极连接地;第五PNP管Q5的基极和集电极连接第六PNP管Q6的基极、第八NPN管Q8的集电极;第六PNP管Q6的集电极连接第九NPN管Q9的集电极、第一电容C1的一端、第七PNP管Q7的基极和第十二NMOS管M12的源极;第三PMOS管M3的源极连接输入电压VIN;第四PMOS管M4的源极连接输入电压VIN;第六NMOS管M6的栅极连接输入使能信号EN,源极接地;第七PMOS管M7的源极连接输入电压VIN;第十PMOS管M10的源极连接输入电压VIN、漏极连接第十一NMOS管M11的漏极和栅极、第十三NMOS管M13的栅极;第十二NMOS管M12的漏极连接输入电压VIN;第十三NMOS管M13的漏极连接输入电压VIN;第一电容C1的另一端连接地。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 电子科技大学 一种带偏置电流匹配的基准电压源

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

相关技术
相关技术
相关技术
相关技术