申请/专利权人：合肥艾创微电子科技有限公司

申请日：2022-08-16

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115050819B

主分类号：H01L29/40

分类号：H01L29/40;H01L29/778

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.09.13#公开

摘要：本发明提供一种用于降低多层场板输入电容的氮化镓晶体管，包括氮化镓基片、源极区、漏极区以及栅极区，其形成于所述氮化镓基片中且包含与所述氮化镓基片的一部分接触的栅极堆叠，所述栅极区设置于所述源极区与所述漏极区之间，所述栅极堆叠中的栅极金属一侧具有朝向漏极区延伸的栅场板；所述第一源极欧姆金属一侧具有朝向漏极区延伸并跨越所述栅场板的第一源场板，该第一源场板具有镂空结构区域。对场板结构进行镂空设计，降低栅场板与源场板之间的正对面积，从而降低栅、源之间的寄生电容，从而提高器件的开关及频率特性。

主权项：1.一种用于降低多层场板输入电容的氮化镓晶体管，其特征在于，包括：氮化镓基片；源极区，其形成于所述氮化镓基片中且包含与所述氮化镓基片的一部分接触的第一源极欧姆金属；漏极区，其形成于所述氮化镓基片中且与所述源极区分离；以及栅极区，其形成于所述氮化镓基片中且包含与所述氮化镓基片的一部分接触的栅极堆叠，所述栅极区设置于所述源极区与所述漏极区之间，所述栅极堆叠中的栅极金属一侧具有朝向漏极区延伸的栅场板；所述第一源极欧姆金属一侧具有朝向漏极区延伸并跨越所述栅场板的第一源场板，该第一源场板具有镂空结构区域；所述第一源极欧姆金属上还形成有第二源极金属，该第二源极金属一侧具有朝向漏极区延伸并跨越所述第一源场板的第二源场板，所述第二源场板具有镂空结构区域，该第二源场板的镂空结构区域与第一源场板的镂空结构区域在纵向上具有至少部分重叠；所述镂空结构区域包括填充在该镂空结构区域内并垂直于场板表面的多个纵向通孔，并且每一层金属场板纵向通孔之间存在起电连接作用的非镂空结构。

全文数据：

权利要求：

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