申请/专利权人：瑞砻科技股份有限公司

申请日：2022-08-04

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN217955869U

主分类号：H01L29/26

分类号：H01L29/26;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78

优先权：["20211209 TW 110146015"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权

摘要：本实用新型是一种环绕式栅极场效晶体管，包含有一基板、至少一通道层、一源极、一漏极、一栅极、至少一介电层以及一绝缘层；该通道层位于该基板上方且包含有一第一层与一第二层，该第一层是由第一二维半导体材料所形成，该第二层是由第二二维半导体材料所形成且覆盖于该第一层的表面，该第二二维半导体材料的能隙小于该第一二维半导体材料的能隙，该通道层具有二端部分别与该源极及该漏极连接，该栅极位于该源极与该漏极之间且包围该通道层，该介电层是介于该栅极与该通道层之间，该绝缘层是介于该栅极与该源极之间，且介于该栅极与该漏极之间。借此，本实用新型可有效提升二维半导体材料通道层的载子迁移率，以提升环绕式栅极场效晶体管的效能。

主权项：1.一种环绕式栅极场效晶体管，其特征在于，包含有：一基板；至少一通道层，位于该基板上方，该通道层包含有一第一层与一第二层，该第一层是由第一二维半导体材料所形成，该第二层是由第二二维半导体材料所形成且覆盖于该第一层的表面，该第二二维半导体材料的能隙小于该第一二维半导体材料的能隙，该通道层具有相对的一第一端部与一第二端部；一源极，与该通道层的第一端部连接；一漏极，与该通道层的第二端部连接；一栅极，位于该源极与该漏极之间且包围该通道层；至少一介电层，是介于该栅极与该通道层之间；以及一绝缘层，包含有一第一隔离部以及一第二隔离部，该第一隔离部是介于该栅极与该源极之间，该第二隔离部是介于该栅极与该漏极之间。

全文数据：

权利要求：

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