申请/专利权人:江苏芯德半导体科技有限公司
申请日:2022-08-05
公开(公告)日:2022-12-02
公开(公告)号:CN217955845U
主分类号:H01L23/31
分类号:H01L23/31;H01L23/495;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.12.02#授权
摘要:本实用新型公开了一种倒装芯片封装结构,包括塑封层以及被塑封层包覆的芯片、钝化层、支撑层、金属凸块和引线框架,芯片的底部设有钝化层,钝化层上设有若干第一窗口,第一窗口显露出芯片压区,钝化层底部设有支撑层,支撑层上设有若干第一开口,第一开口的位置与第一窗口位置对应,支撑层上设有若干第二开口,金属凸块穿过第一开口和第一窗口连接芯片上的芯片压区和引线框架,本实用新型提供了一种提高产品物理特性、增强芯片与塑封层的结合力的倒装芯片封装结构。
主权项:1.倒装芯片封装结构,其特征在于,包括塑封层以及被塑封层包覆的芯片、钝化层、支撑层、金属凸块和引线框架,所述芯片的底部设有钝化层,所述钝化层上设有若干第一窗口,所述第一窗口显露出芯片压区,所述钝化层底部设有支撑层,所述支撑层上设有若干第一开口,所述第一开口的位置与第一窗口位置对应,所述支撑层上设有若干第二开口,所述金属凸块穿过第一开口和第一窗口连接芯片上的芯片压区和引线框架。
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