申请/专利权人：厦门虹鹭钨钼工业有限公司

申请日：2022-06-22

公开（公告）日：2022-12-27

公开（公告）号：CN218160266U

主分类号：H01J35/10

分类号：H01J35/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.27#授权

摘要：本实用新型涉及旋转阳极靶技术领域，特别涉及一种改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构及靶盘。该改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构包括基体层以及轨道层；所述基体层上表面覆盖有过渡层，所述过渡层上表面覆盖有轨道层；所述过渡层的热膨胀系数介于基体层的热膨胀系数和轨道层的热膨胀系数之间。该改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构能够有效改善轨道层和基体层之间界面的热应力，减少轨道层龟裂和开裂等现象的发生，从而提升靶盘质量。

主权项：1.一种改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构，其包括基体层200以及轨道层400；其特征在于：所述基体层200上表面覆盖有过渡层100，所述过渡层100上表面覆盖有轨道层400；所述过渡层100的热膨胀系数介于基体层200的热膨胀系数和轨道层400的热膨胀系数之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 一种改善旋转阳极靶轨道层龟裂缺陷的结构及靶盘

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