申请/专利权人:新加坡国立大学
申请日:2021-03-09
公开(公告)日:2022-12-30
公开(公告)号:CN115551801A
主分类号:C01B32/05
分类号:C01B32/05;C23C16/26;C01G39/06
优先权:["20200310 SG 10202002196X"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.03.21#实质审查的生效;2022.12.30#公开
摘要:描述了用于诱导成核以形成材料层106的种子层102。在一种实施方式中,种子层102包括具有如下无序原子结构的二维2D单层无定形材料的层:其适合于产生局域电子态以形成用于经由范德华vdW相互作用将吸附原子结合至种子层102的表面以形成所述材料层的电势阱,其中所述电势阱各自具有如下势能:其在大小上大于周围的热能以将吸附原子俘获在所述种子层的表面上。还描述了关于用于形成所述种子层的方法、包括种子层102的异质结构体100、用于形成包括所述种子层的所述异质结构体的方法300、包括所述异质结构体的器件和增强吸附原子和所述种子层的表面之间的vdW相互作用的方法的实施方式。在一种具体实施方式中,所述2D单层无定形材料的层为2D单层无定形碳。
主权项:1.用于诱导成核以形成材料层的种子层,所述种子层包括具有如下无序原子结构的二维2D单层无定形材料的层:其适合于产生局域电子态以形成用于经由范德华vdW相互作用将吸附原子结合至所述种子层的表面以形成所述材料层的电势阱,其中所述电势阱各自具有如下势能:其在大小上大于周围的热能以将吸附原子俘获在所述种子层的表面上。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 新加坡国立大学 种子层、包括所述种子层的异质结构体和使用所述种子层形成材料层的方法
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