申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-12-18

公开（公告）日：2023-01-03

公开（公告）号：CN113130387B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：["20191230 US 16/730,505"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.03#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本申请案涉及钨结构及形成所述结构的方法。描述用于在例如半导体衬底的衬底上方形成钨导电结构的方法。所描述实例包含在支撑结构上方形成含硅材料，例如经掺杂的含硅材料。随后，接着将所述含硅材料转化为含有所述掺杂剂材料的钨晶种材料。接着，将在所述钨晶种材料上方形成较低电阻的钨填充物材料。

主权项：1.一种形成多层结构的方法，所述方法包括：在衬底上方形成含硅材料，所述含硅材料包含掺杂剂；将所述含硅材料的至少一部分转化为钨晶种材料，其中所述钨晶种材料的大部分是β相钨；及在所述钨晶种材料上方形成钨填充物，其中所述钨填充物的所述钨的大部分是α相钨，且所述钨填充物的大部分具有具至少80nm的最大尺寸的晶粒大小。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 钨结构及形成所述结构的方法

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