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【发明授权】一种光掩膜版及光掩膜设计方法_深圳芯能半导体技术有限公司_202211013895.3 

申请/专利权人:深圳芯能半导体技术有限公司

申请日:2022-08-23

公开(公告)日:2023-01-03

公开(公告)号:CN115079510B

主分类号:G03F1/38

分类号:G03F1/38

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.01.03#授权;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要:本发明提供了一种光掩膜版及光掩膜设计方法,所述光掩膜版包括:芯片区、划片道区域以及辅助图形区,所述芯片区位于版面中心,划片道区域位于所述芯片区四周,所述辅助图形区将所述芯片区和所述划片道区域全部或部分隔开。本发明提供的光掩膜版上的图形设计,可以兼容MPW和NTO两种光刻生产模式,通过投影步进式光刻机的掩膜版区域选择,在不同的模式下灵活选择光掩膜版上的不同区域,将不同的图形区域进行投影曝光,从而在设计验证定型之后,不用进行第二次光掩膜的制作,省去了一次光掩膜的制作时间,缩短了IGBT芯片的开发周期。

主权项:1.一种光掩膜版,其特征在于,包括:芯片区、划片道区域以及辅助图形区,所述芯片区位于版面中心,划片道区域位于所述芯片区四周;所述辅助图形区位于所述芯片区的四个角将所述芯片区和所述划片道区域部分隔开;或;所述辅助图形区域位于所述划片道区域的两侧将所述芯片区和所述划片道区域全部隔开,且所述划片道区域包括位于所述芯片区四角的相同且对称的第一部分,及位于所述芯片区四侧边的相同且对称的第二部分;以使所述芯片区每个最小的芯片单元阵列式排布。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳芯能半导体技术有限公司 一种光掩膜版及光掩膜设计方法

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