申请/专利权人：华灿光电(浙江)有限公司

申请日：2022-06-30

公开（公告）日：2023-01-03

公开（公告）号：CN218215341U

主分类号：H01L33/08

分类号：H01L33/08;H01L33/38

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.03#授权

摘要：本公开提供了一种降低封装难度的三基色发光二极管芯片，包括：透明基板、第一外延层、第二外延层、第三外延层、第一透明导电层、第二透明导电层、第三透明导电层、第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；第三外延层的边缘具有第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽和第四凹槽；第一凹槽延伸至第三透明导电层，第一电极位于第一凹槽内且与第三透明导电层连接；第二凹槽延伸至第二透明导电层，第二电极位于第二凹槽内且与第二透明导电层连接；第三凹槽延伸至第一透明导电层，第三电极位于第三凹槽内且与第一透明导电层连接；第四凹槽延伸至第一外延层，以露出第一、第二外延层，第四电极位于第四凹槽内且与三个外延层均连接。本公开能降低封装难度。

主权项：1.一种降低封装难度的三基色发光二极管芯片，其特征在于，所述三基色发光二极管芯片包括：透明基板10、第一外延层21、第二外延层22、第三外延层23、第一透明导电层31、第二透明导电层32、第三透明导电层33、第一电极41、第二电极42、第三电极43和第四电极44；所述第一外延层21、所述第一透明导电层31、所述第二透明导电层32、所述第二外延层22、所述第三透明导电层33和所述第三外延层23依次层叠于所述透明基板10上，所述第三外延层23的表面具有位于所述第三外延层23的边缘的第一凹槽201、第二凹槽202、第三凹槽203和第四凹槽204；所述第一凹槽201从所述第三外延层23至少延伸至所述第三透明导电层33，所述第一电极41位于所述第一凹槽201内且延伸至所述透明基板10，所述第一电极41与所述第三透明导电层33连接；所述第二凹槽202从所述第三外延层23至少延伸至所述第二透明导电层32，所述第二电极42位于所述第二凹槽202内且延伸至所述透明基板10，所述第二电极42与所述第二透明导电层32连接；所述第三凹槽203从所述第三外延层23至少延伸至所述第一透明导电层31，所述第三电极43位于所述第三凹槽203内且延伸至所述透明基板10，所述第三电极43与所述第一透明导电层31连接；所述第四凹槽204从所述第三外延层23至少延伸至所述第一外延层21，以露出所述第一外延层21的半导体层、所述第二外延层22的半导体层，所述第四电极44位于所述第四凹槽204内且延伸至所述透明基板10，所述第四电极44分别与所述第一外延层21的半导体层、所述第二外延层22的半导体层、所述第三外延层23的半导体层连接。

全文数据：

权利要求：

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