买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】半导体结构及其形成方法_新唐科技股份有限公司_202110895562.7 

申请/专利权人:新唐科技股份有限公司

申请日:2021-08-05

公开(公告)日:2023-01-06

公开(公告)号:CN115579291A

主分类号:H01L21/336

分类号:H01L21/336;H01L29/423

优先权:["20210621 TW 110122514"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要:本发明提供了半导体结构及其形成方法,该方法包括:依序形成外延层及半导体层在基板上。形成凹部在外延层及半导体层中。顺应性地形成第一介电层及第二介电层在凹部上。其中,第二介电层的介电常数大于第一介电层的介电常数。形成第一导电层在第二介电层上。回蚀第一导电层及第二介电层,以使第一导电层的顶表面及第二介电层的顶表面齐平。形成第二导电层在第一导电层上。

主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:依序形成一外延层及一半导体层在一基板上;形成一凹部在所述外延层及所述半导体层中;顺应性地形成一第一介电层及一第二介电层在所述凹部上,其中所述第二介电层的介电常数大于所述第一介电层的介电常数;形成一第一导电层在所述第二介电层上;回蚀所述第一导电层及所述第二介电层,以使所述第一导电层的顶表面及所述第二介电层的顶表面齐平;以及形成一第二导电层在所述第一导电层上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 新唐科技股份有限公司 半导体结构及其形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。