申请/专利权人:环球晶圆股份有限公司
申请日:2022-04-12
公开(公告)日:2023-01-06
公开(公告)号:CN115579377A
主分类号:H01L29/06
分类号:H01L29/06;H01L29/16;H01L21/04
优先权:["20210621 TW 110122585"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开
摘要:本发明提供一种半导体衬底以及半导体装置的制造方法。所述半导体衬底,包括碳化硅晶片,具有第一面、平行于第一面的第二面以及垂直于第一面与第二面的侧面。第一面与侧面之间包括第一斜面和或第一弧面。第二面与侧面之间包括第二斜面和或第二弧面。在平行第一面的第一方向上,第一面与侧面的距离A1大于第二面与侧面的距离A2。
主权项:1.一种半导体衬底,包括:碳化硅晶片,具有第一面、平行于所述第一面的第二面以及垂直于所述第一面与所述第二面的侧面,其中所述第一面与所述侧面之间包括第一斜面和或第一弧面,且所述第二面与所述侧面之间包括第二斜面和或第二弧面,其中在平行所述第一面的第一方向上,所述第一面与所述侧面的距离A1大于所述第二面与所述侧面的距离A2。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 环球晶圆股份有限公司 半导体衬底以及半导体装置的制造方法
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