申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2022-06-21

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579378A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329

优先权：["20210621 DE 102021115971.7"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.06#公开

摘要：公开了包括场停止区的半导体器件。一种半导体器件，其示例包括被布置在半导体本体的第一表面和第二表面之间的第一导电类型的漂移区。半导体器件进一步包括在第二表面处的第一导电类型的第一区。半导体器件进一步包括在第二表面处的被布置成相邻于第一区的第二导电类型的第二区。第一导电类型的场停止区被布置在漂移区和第二表面之间。第二表面上的第一电极被布置成在第二表面的第一部分中直接相邻于第一区，并且在第二表面的第二部分中直接相邻于第二区。场停止区包括第一子区和在第一子区与第二表面之间的第二子区。在第二表面的第一部分的主要部分上，第二子区直接邻接第一区并且包括部分地补偿第一导电类型的掺杂剂的第二导电类型的掺杂剂。

主权项：1.一种半导体器件100，包括：第一导电类型的漂移区102，其被布置在半导体本体108的第一表面104和第二表面106之间；在第二表面106处的第一导电类型的第一区110；在第二表面106处的第二导电类型的第二区112，其被布置成相邻于第一区110；第一导电类型的场停止区114，其被布置在漂移区102和第二表面106之间；在第二表面106上的第一电极116，其中第一电极116被布置成在第二表面106的第一部分1061中直接相邻于第一区110，并且在第二表面106的第二部分1062中直接相邻于第二区112；并且其中场停止区114包括第一子区1141和在第一子区1141与第二表面106之间的第二子区1142，其中在第二表面106的第一部分1061的主要部分上，第二子区1142直接邻接第一区110并且包括部分地补偿第一导电类型的掺杂剂的第二导电类型的掺杂剂。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 包括场停止区的半导体器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD