申请/专利权人：佛山市国星光电股份有限公司

申请日：2022-08-31

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579344A

主分类号：H01L23/49

分类号：H01L23/49;H01L23/498

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明涉及功率半导体器件，包括引线框架、基板、芯片组件，基板包括陶瓷板、以及设置在陶瓷板上的第一铜层和第二铜层，芯片组件包括并排设置在第一铜层上的第一芯片单元和第二芯片单元，第一芯片单元的顶面设置有第一栅极和第一源极，第一芯片单元的底面设置有第一漏极；第二芯片单元的顶面上设置有第二源极和第二栅极，第二芯片单元的底面设置有第二漏极；引线框架包括第一连接板和第二连接板，第一栅极与第二铜层之间通过第一键合线连接，第二栅极与第二铜层之间通过第二键合线连接；第一键合线与第二键合线垂直于陶瓷板的第一侧至第二侧的方向，其使栅源回路中的电流方向与漏源回路中的电流方向互相垂直，降低了功率半导体器件的寄生电感。

主权项：1.一种功率半导体器件，其特征在于：包括引线框架、基板和芯片组件，所述基板包括陶瓷板、以及设置在所述陶瓷板上的第一铜层和第二铜层，所述芯片组件包括并排设置在所述第一铜层上的第一芯片单元和第二芯片单元，所述第一芯片单元的顶面设置有第一栅极和第一源极，所述第一芯片单元的底面设置有第一漏极；所述第二芯片单元的顶面上设置有第二源极和第二栅极，所述第二芯片单元的底面设置有第二漏极；所述引线框架包括第一连接板和第二连接板，所述第一连接板连接所述第一铜层并沿所述陶瓷板的第一侧的外侧方向延伸；所述第二连接板连接所述第一源极和所述第二源极，并沿所述陶瓷板的第二侧的外侧方向延伸，其中，所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧；所述第一栅极与所述第二铜层之间通过第一键合线连接，所述第二栅极与所述第二铜层之间通过第二键合线连接；所述第一键合线与所述第二键合线垂直于所述陶瓷板的第一侧至第二侧的方向。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 佛山市国星光电股份有限公司 一种功率半导体器件

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