申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司

申请日：2022-09-16

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579390A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L25/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本申请涉及一种HEMT半导体器件，包括：依次层叠设置的半导体衬底、沟道层和势垒层；源极焊垫层设于第一功能区的上方；多个源极指叉金属场板均设于第二功能区上，多个源极指叉金属场板均与源极焊垫层连接；漏极焊垫层设于第三功能区的上方；多个漏极指叉金属场板设于第二功能区上，多个漏极指叉金属场板与漏极焊垫层连接；至少一个集成电路设于沟道层和势垒层内，且位于第一功能区内和或者第三功能区内；隔离层设于沟道层和势垒层内。由于集成电路不用与焊垫层直接连接，因此集成电路受到的焊垫层的应力影响极小，可以直接配置在焊垫层的下方，充分利用了指叉式HEMT半导体器件的内部空间，使指叉式HEMT半导体器件的结构更加紧凑。

主权项：1.一种HEMT半导体器件，其特征在于，包括：依次层叠设置的半导体衬底、沟道层和势垒层；所述势垒层划分为第一功能区、第二功能区和第三功能区，所述第一功能区、所述第二功能区和所述第三功能区互不重叠；源极焊垫层，设于所述第一功能区的上方；多个源极指叉金属场板，均设于所述第二功能区上，多个所述源极指叉金属场板均与所述源极焊垫层连接；漏极焊垫层，设于所述第三功能区的上方；多个漏极指叉金属场板，均设于所述第二功能区上，多个所述漏极指叉金属场板均与所述漏极焊垫层连接，其中，多个所述漏极指叉金属场板与所述源极指叉金属场板交叉设置；至少一个集成电路，设于所述沟道层和所述势垒层内，且位于所述第一功能区内和或者所述第三功能区内；隔离层，设于所述沟道层和所述势垒层内，用于隔离所述集成电路与所述源极指叉金属场板之间的所述沟道层中的二维电子气通道和或隔离所述集成电路与所述漏极指叉金属场板之间的所述沟道层中的所述二维电子气通道。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 HEMT半导体器件

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