申请/专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115571847A

主分类号：B81B7/02

分类号：B81B7/02;B81C1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本公开提供一种MEMS器件及制备方法。具体地，MEMS器件包括：基板；以及功能层，至少部分悬空设置于所述基板上；其中，所述功能层的厚度≥1μm且≤5μm。通过提高功能层的厚度为≥1μm且≤5μm，能够增加功能层悬空结构的强度从而有效避免其塌陷，同时也能满足MEMS器件对悬空结构进行驱动的要求。

主权项：1.一种MEMS器件，其特征在于，包括：基板；以及功能层，至少部分悬空设置于所述基板上；其中，所述功能层的厚度≥1μm且≤5μm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 MEMS器件及制备方法

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