申请/专利权人：厦门安捷利美维科技有限公司;上海美维科技有限公司

申请日：2022-09-26

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115573007A

主分类号：C25D5/02

分类号：C25D5/02;C25D7/12;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明提供一种封装基板的制备方法，通过在CAM资料中的待镀掩膜图形中增设辅助镀铜区，所述辅助镀铜区用于扩大电镀时的电镀面积，有效提升了生成的电镀金属层的膜厚均匀性；并且所述辅助镀铜区与所述覆铜区存在的间隔大于等于制程关键尺寸，刻蚀去辅助铜时不会对主铜的连接线路产生影响，最终使得主铜的连接线路是基于改良型半加成法制作形成，保证了主铜的连接线路的线条精度。

主权项：1.一种封装基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1提供一芯板结构；S2判断当前图形电镀工序CAM资料中待镀掩膜图形的残铜率，并在所述残铜率小于设定值时，于所述待镀掩膜图形中的空旷区域增设辅助镀铜区以得到更新的待镀掩膜图形，同时，基于所述辅助镀铜区增设辅助刻蚀掩膜图形，其中，所述辅助镀铜区与覆铜区之间存在一定间隙，所述间隙的尺寸大于等于制程关键尺寸；S3于所述芯板结构的至少一个表面形成第一光刻胶层，采用曝光、显影工艺将所述更新的待镀掩膜图形转移至所述第一光刻胶层中以形成第一掩膜层，其中，所述第一掩膜层的开口区域包括所述辅助镀铜区及所述覆铜区；S4基于所述第一掩膜层进行电镀形成电镀金属层，并去除所述第一掩膜层，其中，所述电镀金属层形成于所述覆铜区的部分为主铜，形成于所述辅助镀铜区的部分为辅助铜；S5于所述电镀金属层的表面形成第二光刻胶层，采用曝光、显影工艺将所述辅助刻蚀掩膜图形转移至所述第二光刻胶层中以形成第二掩膜层，其中，所述第二掩膜层的开口至少暴露出所述辅助铜；S6基于所述第二掩膜层刻蚀去除所述辅助铜，并去除所述第二掩膜层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门安捷利美维科技有限公司;上海美维科技有限公司 封装基板的制备方法

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