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【发明公布】半导体器件和形成半导体器件方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202211175220.9 

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2020-03-09

公开(公告)日:2023-01-06

公开(公告)号:CN115579341A

主分类号:H01L23/48

分类号:H01L23/48;H01L23/528;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/768

优先权:["20190531 US 16/427,569"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要:在实施例中,半导体器件包括:集成电路管芯;至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂,该密封剂包括具有平均直径的填充剂;延伸穿过密封剂的通孔,通孔的下部具有恒定的宽度,并且通孔的上部具有连续减小的宽度,上部的厚度大于填充剂的平均直径;以及再分布结构,包括:位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层;以及金属化图案,具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分,金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

主权项:1.一种半导体器件,包括:集成电路管芯;密封剂,至少部分地围绕所述集成电路管芯,所述密封剂包括具有平均直径的填充剂;通孔,延伸穿过所述密封剂,所述通孔的下部具有恒定的宽度,并且所述通孔的上部具有连续减小的宽度,所述上部的厚度大于所述填充剂的平均直径;以及再分布结构,包括:介电层,位于所述通孔、所述密封剂和所述集成电路管芯上;以及金属化图案,具有延伸穿过所述介电层的通孔部分和沿着所述介电层延伸的线部分,所述金属化图案电连接至所述通孔和所述集成电路管芯。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件和形成半导体器件方法

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