申请/专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

申请日：2022-09-28

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579416A

主分类号：H01L31/08

分类号：H01L31/08;H01L31/18;H01L21/764;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。所述方法包括：提供半导体器件初体；形成金属层，所述金属层覆盖所述半导体器件初体的顶表面并且覆盖所述沟槽的内侧壁和底面但未填满所述沟槽；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述金属层，所述牺牲层的位于所述沟槽处的厚度大于位于所述半导体器件初体顶表面处的厚度；所述金属层的材料与所述牺牲层的材料的刻蚀选择比大于或等于100；部分去除所述牺牲层，保留至少部分位于所述沟槽内的剩余牺牲层；部分去除所述金属层，仅保留位于所述沟槽的部分内侧壁及底面的剩余金属层；去除所述剩余牺牲层。本发明所提供的半导体器件的制备方法及半导体器件，使半导体器件的性能更稳定。

主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体器件初体，所述半导体器件初体包括由顶表面向内部延伸的沟槽；形成金属层，所述金属层覆盖所述半导体器件初体的顶表面并且覆盖所述沟槽的内侧壁和底面但未填满所述沟槽；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述金属层，所述牺牲层的位于所述沟槽处的厚度大于位于所述半导体器件初体顶表面处的厚度；所述金属层的材料与所述牺牲层的材料的刻蚀选择比大于或等于100；部分去除所述牺牲层，保留至少部分位于所述沟槽内的剩余牺牲层；部分去除所述金属层，仅保留位于所述沟槽的部分内侧壁及底面的剩余金属层；去除所述剩余牺牲层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 半导体器件的制备方法及半导体器件

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