申请/专利权人:西安微电子技术研究所
申请日:2022-09-29
公开(公告)日:2023-01-06
公开(公告)号:CN115575721A
主分类号:G01R27/26
分类号:G01R27/26
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开
摘要:本发明公开了一种应用晶圆级封装的再布线层材料的复介电常数提取方法,包括获取传输线的传输系数;建立基于微带线尺寸的介电常数与等效介电常数的模型,获取等效介电常数的理论值;根据搜索算法,在粗粒度下,由等效介电常数的理论值计算材料的介电常数范围;设置搜索步进,对材料的介电常数范围内的介电常数值进行搜索计算,得到频变的等效介电常数;根据传输线的传输系数,计算材料的损耗角正切值;计算得到复介电常数。利用晶圆级封装中传统微带线的结构,对再布线层材料的复介电常数进行提取,采用搜索算法,计算材料的介电常数范围,得到每个频率点的等效介电常数,扩大了测量的频率,降低了测量成本,提高了测试速度。
主权项:1.应用晶圆级封装的再布线层材料的复介电常数提取方法,其特征在于,包括以下步骤:获取传输线的传输系数;建立基于微带线尺寸的介电常数与等效介电常数的模型,获取等效介电常数的理论值;根据搜索算法,在粗粒度下,由等效介电常数的理论值计算材料的介电常数范围;设置搜索步进,对材料的介电常数范围内的介电常数值进行搜索计算,得到频变的等效介电常数;根据传输线的传输系数,计算材料的损耗角正切值;由频变的等效介电常数和材料的损耗角正切值计算得到复介电常数。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西安微电子技术研究所 应用晶圆级封装的再布线层材料的复介电常数提取方法
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