申请/专利权人：深圳清华大学研究院

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579727A

主分类号：H01S5/024

分类号：H01S5/024;H01S5/02218;H01S5/02315;H01S5/0233

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明公开一种半导体激光器，其中，所述半导体激光器包括底座、管壳、发光芯片及光纤，底座设有第一内腔，第一内腔填充有相变介质，相变介质用于吸收热量；管壳与底座的外壁连接，且管壳与底座的外壁围合形成有第二内腔；发光芯片设于底座的外壁，并位于第二内腔内；光纤固定于第二内腔腔壁，光纤的一端与发光芯片间隔设置，光纤的另一端穿过管壳并伸出管壳外；光纤位于发光芯片的输出光路上；其中，在发光芯片输出激光至光纤并发热时，相变介质通过底座与发光芯片接触换热。本发明技术方案不增加半导体激光器的结构复杂性的情况下，还能实现高效的冷却效果。

主权项：1.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：底座，所述底座设有第一内腔，所述第一内腔填充有相变介质，所述相变介质用于吸收热量；管壳，所述管壳与所述底座的外壁连接，且所述管壳与所述底座的外壁围合形成有第二内腔；发光芯片，所述发光芯片设于所述底座的外壁，并位于所述第二内腔内；及光纤，所述光纤固定于所述第二内腔腔壁，所述光纤的一端与所述发光芯片间隔设置，所述光纤的另一端穿过所述管壳并伸出所述管壳外；所述光纤位于所述发光芯片的输出光路上；其中，在所述发光芯片输出激光至所述光纤并发热时，所述相变介质通过所述底座与所述发光芯片接触换热。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳清华大学研究院 半导体激光器

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