申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2022-10-08

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115574942A

主分类号：G01J4/04

分类号：G01J4/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.07#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明提供一种偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法，涉及半导体光电探测器及其制备技术领域。该偏振放大系统包括偏振探测器、参考电阻和晶体管，其中：偏振探测器包括第一硅片基底，以及从左至右依次位于第一硅片基底上的第一有源层、第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极均为金属材料；晶体管包括第二硅片基底，以及从左至右依次位于第二硅片基底上的第二有源层、第二源电极、第二漏电极、介电层和栅电极，第二源电极、第二漏电极和栅电极均为金属材料；偏振探测器的第一漏电极与参考电阻电连接，并共同连接至晶体管的栅电极；其中，第一有源层和第二有源层均为二维半导体材料，偏振探测器的探测波段为可见光至近红外波段。

主权项：1.一种偏振放大系统，其特征在于，包括偏振探测器、参考电阻和晶体管，其中：所述偏振探测器包括第一硅片基底，以及从左至右依次位于所述第一硅片基底上的第一有源层、第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和第一漏电极均为金属材料；所述晶体管包括第二硅片基底，以及从左至右依次位于所述第二硅片基底上的第二有源层、第二源电极、第二漏电极、介电层和栅电极，所述第二源电极、第二漏电极和栅电极均为金属材料；所述偏振探测器的第一漏电极与所述参考电阻电连接，并共同连接至所述晶体管的栅电极；其中，所述第一有源层和第二有源层均为二维半导体材料，所述偏振探测器的探测波段为可见光至近红外波段。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法

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