申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2022-10-09

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579293A

主分类号：H01L21/363

分类号：H01L21/363;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明公开了一种晶圆尺寸2H‑MoTe2及分子束外延制备方法，在GaN衬底上，通过预先沉积Te缓冲层，并保持衬底温度和腔体真空度，立即向生长有Te缓冲层的GaN衬底沉积Te和Mo生长MoTe2，分别控制Te蒸发源在Te缓冲层上生长MoTe2的蒸发温度和Mo蒸发源的功率，来精确调控Te蒸发源和Mo蒸发源的蒸发速率，实现了晶圆尺寸、原子级平整、厚度均匀可控的外延二维半导体2H‑MoTe2的制备。本发明能够实现对2H‑MoTe2层厚的精准控制，克服了传统制备方法的样品尺寸小、纯净度低和多相混合及层厚难以调控的缺点，满足了芯片领域的器件阵列化和集成化的基本要求。

主权项：1.一种晶圆尺寸2H-MoTe2的分子束外延制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a对GaN0001衬底进行清洗处理，干燥后转移到分子束外延制备腔体中；b在分子束外延制备腔体中对GaN衬底进行衬底除气处理，GaN衬底经升温脱气后，表面出现清晰衍射条纹时，除气完成；c维持GaN衬底温度，向GaN衬底缓慢生长Te缓冲层，控制Te缓冲层生长速率和生长厚度；d保持衬底温度和腔体真空度，立即向生长有Te缓冲层的GaN衬底沉积Te和Mo生长MoTe2，分别控制Te蒸发源在Te缓冲层上生长MoTe2的蒸发温度和Mo蒸发源的功率，来精确调控Te蒸发源和Mo蒸发源的蒸发速率；e对衬底升温进行MoTe2退火处理，在持续Te源的供给下保温，退火后降至室温，即得2H-MoTe2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 一种晶圆尺寸2H-MoTe₂及分子束外延制备方法

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