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【发明公布】电容堆叠结构及其形成方法_芯盟科技有限公司_202211258826.9 

申请/专利权人:芯盟科技有限公司

申请日:2022-10-14

公开(公告)日:2023-01-06

公开(公告)号:CN115579354A

主分类号:H01L23/64

分类号:H01L23/64

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要:本申请提供了一种电容堆叠结构及其形成方法,所述方法包括:形成包括多个第一电容的第一电容层结构;于所述第一电容层结构的第一表面形成包括第二电极相互连接的多个第二电容的第二电容层结构,或于所述第一电容层结构的第二表面形成包括第一电极相互连接的多个第二电容的第二电容层结构,其中,所述第一电容层结构的第一表面与所述第一电容层结构的第二表面为两个相对的表面。上述技术方案,能够在在增高电容高度以增大电容容量的情况下,避免电容失效,解决堆叠结构的电容容量随晶体管尺寸缩小而减小的问题。

主权项:1.一种电容堆叠结构的形成方法,其特征在于,所述方法包括:形成包括多个第一电容的第一电容层结构;于所述第一电容层结构的第一表面形成包括第二电极相互连接的多个第二电容的第二电容层结构,或于所述第一电容层结构的第二表面形成包括第一电极相互连接的多个第二电容的第二电容层结构,其中,所述第一电容层结构的第一表面与所述第一电容层结构的第二表面为两个相对的表面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 芯盟科技有限公司 电容堆叠结构及其形成方法

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